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P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
IRV2000-1X350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
一、EDFA基本原理1、摻鉺光纖鉺是一種稀土元素，原子序數是68，原子量為167.3.鉺離子的電子能級如圖所示，由下能級向上能級的躍遷則對應光的吸收過程。而由上能級向下能級的躍遷則對應于光的發射過程。2、EDFA原理EDFA采用摻鉺離子光纖作為增益介質，在泵浦光作用下產生粒子數反轉，在信號光誘導下實現受激輻射放大。鉺離子有三個能級，在未受任何光激勵的情況下，處在最抵能級E1上，當用泵浦光源的激光不斷激發光纖時，處于基態的粒子獲得能量就會向高能級躍遷。如由E1躍遷至E3，由于粒...
量子級聯激光器的產生以帶結構工程學和共振隧穿的發展為基礎，其核心結構半導體異質結構由分子束外延技術生長。量子級聯激光器是子帶間躍遷激光器，可使其激射波長可覆蓋大部分中紅外和部分遠紅外光譜區域。中紅外量子級聯激光器是一種用于工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器。屬于新一代半導體激光器，它的特性不同于傳統半導體激光器。該儀器使中遠紅外波段高可靠、高功率和高特征溫度半導體激光器的實現成為可能，為氣體分析等中紅外應用提供了新型光源。量子的含義是指激光器由納米級厚度的半導體異質結超薄層...
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