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  • 50Gbps56Gbaud APD Chip(銦鎵砷)

    50Gbps56Gbaud APD Chip(銦鎵砷) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時間:2025-10-29
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  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(銦鎵砷)

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(銦鎵砷) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時間:2025-10-29
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  • 高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器(非制冷與制冷型)

    高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器(非制冷與制冷型) 硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器在1至5um光譜范圍內(nèi)進行物質(zhì)分析時,能提供性能與特性的z佳平衡。其高靈敏度、快速響應(yīng)時間以及業(yè)界優(yōu)秀的可靠性相結(jié)合,可確保在任何需要的時間和場合都能提供穩(wěn)定一致的性能表現(xiàn)。

    更新時間:2025-11-01
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  • 320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器

    320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標準的APD之外,還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時間:2025-11-10
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  • 硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT

    硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT 產(chǎn)品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。

    更新時間:2024-12-06
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