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當前位置：首頁產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

  • APD410C/M(DP)900~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）DC~10MHz （砷化銦InAs/銦砷銻InAsS

    900~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）DC~10MHz （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間：2025-09-25
    產品型號：APD410C/M(DP)
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  • APDI-0.8/1.7um-1mm-AG8800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑1.0mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

    800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑1.0mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間：2025-09-25
    產品型號：APDI-0.8/1.7um-1mm-AG8
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  • APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑 0.05mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAs

    800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑 0.05mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間：2025-09-25
    產品型號：APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8
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  • APD130C/M(DP)900~1700nm雪崩式光電探測器（APD） DC~50MHz（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb

    900~1700nm雪崩式光電探測器（APD） DC~50MHz（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。

    更新時間：2025-09-25
    產品型號：APD130C/M(DP)
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  • PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39

    InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39 產品總覽 PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求

    更新時間：2025-03-08
    產品型號：PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90
    瀏覽量：2025
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