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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間：2024-12-06
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  • 200um InGaAs APD Chip φ200um（銦鎵砷）

    200um InGaAs APD Chip φ200um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片

    更新時(shí)間：2025-10-29
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  • 1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)

    更新時(shí)間：2024-12-05
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  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫(yī)學(xué)和分析應(yīng)用。 這種Si APD設(shè)計(jì)為雙擴(kuò)散“穿透式”結(jié)構(gòu)，可在400和1000 nm之間提供高響應(yīng)度，以及在所有波長(zhǎng)處都極快的上升和下降時(shí)間。

    更新時(shí)間：2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。

    更新時(shí)間：2024-12-05
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