InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-2G-A

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-07

廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪(fǎng)問(wèn)量：905

產(chǎn)品咨詢(xún) 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材/家具,電子/電池

覽

超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出，在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-2G-A InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-2G-A

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲超低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	UPD-100M-A	UPD-200M-A	UPD-300M-A	UPD-400M-A	UPD-500M-A	UPD-600M-A	UPD-800M-A	UPD-1G-A	UPD-1.2G-A	UPD-1.5G-A	UPD-2G-A	UPD-2.5G-A	UPD-5G-A	單位
探測(cè)器類(lèi)型	InGaAs
波長(zhǎng)	800~1700													nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	600M	800M	1G	1.2G	1.5G	2G	2.5G	5G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	20K	15K	15K	30K	30K	30K	30K	30K	30K	6K	V/W
飽和光功率	140	140	140	420	280	280	140	140	140	420	140	140	700	μW
NEP	2.2	2.2	2.2	2.7	3.1	3.1	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	Ω
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	DC	AC	AC	AC	AC	AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	12	12	12	12	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.3	A
光學(xué)輸入	FC/APC（自由空間光可選）												FC/APC
射頻輸出	SMA												SMA
外形尺寸	655020						655025						809025	mm