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2-12μm , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性能。切割波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。

2-12μm MCT 中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性能。

2-12μm 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到好性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。

2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。

3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長(zhǎng)分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。