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當前位置：首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器

  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：
    瀏覽量：1362
  • MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器

    光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳，是一款特別適用于探測連續波和低頻調制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在內部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶，可以防止不必要的干擾影響和污染。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：MCT-PEMI-10.6-2×2
    瀏覽量：1313
  • MCT四級TE冷卻光電導探測器

    1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器性能降低。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：
    瀏覽量：1770
  • 三級TE冷卻光電導探測器

    1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級TE冷卻光電導探測器 PCI-3TE系列應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：
    瀏覽量：1635
  • MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數，使其具有優秀的性能和穩定性。

    更新時間：2025-09-03
    產品型號：MCT-PVI-3-1×1
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